- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录447 > IRL2505STRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IRL2505S/L
10000
8000
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s +C gd
15
12
I D = 5 4A
V D S = 44 V
V D S = 28 V
C iss
6000
9
4000
2000
C oss
C rss
6
3
FO R TE S T CIR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
40
80
120
160
200
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n )
10μs
100
100μ s
100
T J = 17 5°C
T J = 2 5°C
10
T C = 25 °C
1m s
10m s
T J
10
V G S = 0V
A
1
= 17 5°C
S ing le P u lse
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
1
10
100
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IRL2703STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRL2703STRR
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRL3102STRLPBF
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
IRL3102STRR
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
IRL3103D1SPBF
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5
IRL3103D1STRLP
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
IRL3103D1STRL
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
IRL3103D1
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
相关代理商/技术参数
IRL2505STRRPBF
功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2703
制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
IRL2703HR
制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRL2703PBF
功能描述:MOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2703S
功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2703SPBF
功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2703STRL
功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2703STRLPBF
功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件